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SI4470EY-T1-E3中文资料

SI4470EY-T1-E3图片

SI4470EY-T1-E3外观图

  • 大小:92.8KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: MOSFET, P, 8-SOIC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12.7A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):13mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:12.7A; Package / Case:8-SOIC; Power Dissipation Pd:1.85W; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:2V
  • 数据列表:SI4470EY
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:11 毫欧 @ 12A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:57nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
  • 功率 - 最大:1.85W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SOICN
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI4470EY-T1-E3TR

SI4470EY-T1-E3供应商

更新时间:2023-01-31 18:56:55
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